ハイパワー IGBT アルミニウム ヒートシンク

モーターコントローラーの絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）の放熱性能はますます高まっており、モーターIGBTは現在、（溶接）ヒートシンク、トラクションインバーター、モータードライブなどの産業用パワーエレクトロニクス市場に参入しています。瑞奇峰は、低い熱抵抗と Vce(on) シリコンを組み合わせることで、動作ジャンクション温度を安全な範囲内に保ちながら、高温のエンクロージャで IGBT が動作できるようにする IGBT ヒートシンク アセンブリ製品を提供しています。

ほとんどの場合、IGBT は高出力デバイスで動作します。高出力はより高い放熱を意味します。IGBT は、他のパワー エレクトロニクス デバイスと比較して、大容量、高周波、駆動しやすく、低損失、モジュール化を目指しており、開発の方向性を示しています。 IGBT ヒートシンクは信頼性が高く、駆動が簡単で、保護が容易で、バッファ回路がなく、スイッチング周波数が高いため、電子市場では IGBT ヒートシンクが非常に必要になります。これらの高い性能を実現するために、集積回路ではエピタキシー、イオン注入、微細リソグラフィーなどの多くのプロセスが使用されます。 近年、パワーIGBTモジュールのヒートシンクの性能は急速に向上し、定格電流も向上しています。電流は数百アンペア、耐電圧は1500V以上に達し、現在も改良が続けられています。IGBT デバイスは PIN ダイオードの正の特性を備えているため、p チャネル パワー IGBT モジュールのヒートシンクの特性は n チャネル IGBT の特性とあまり変わらないため、アプリケーションで相補的な構造を採用するのに非常に役立ちます。 ACおよびデジタル制御技術の分野での応用。IGBT の最大の利点は、オン状態でも短絡状態でも電流ショックに耐えられることです。並列接続は問題なく、直列接続はシャットダウン遅延が短いため簡単です。

IGBT の熱伝達モードには通常、空冷、水冷、銅製ヒートシンク、またはアルミニウム製ヒートシンクが含まれます。その放熱は熱伝達の基本原理に基づいており、デバイスから発せられる熱をできるだけ早く放出できるように、デバイスの熱抵抗が最も低い熱流路が設計されており、内部の熱が確保されます。デバイスのジャンクション温度は常に許容ジャンクション温度内に維持されます。

現在、市場にある既存のIGBTヒートパイプヒートシンクは、主に放熱フィン、ヒートパイプ、基板で構成されており、基板には多数の平行な溝が設けられ、その溝が蒸発部にはんだで溶接されています。ヒートパイプ。従来のIGBTヒートパイプヒートシンク技術では、ヒートパイプの蒸発部が基板の溝に埋め込まれており、IGBT表面に直接密着していません。動作プロセスでは、IGBT 表面からの熱はまず基板を通って排出され、次にヒートパイプとヒートシンクに伝達されます。最後に、ヒートシンクからの熱は対流によって空気に伝達されます。基板自体に熱抵抗があり、ヒートパイプの熱伝導率が基板に比べて非常に高いため、ヒートパイプヒートシンクの熱伝導効率が制限され、放熱性能が低下します。IGBT ヒートシンクは、基板からフィンに熱を均一に伝達することができ、高い熱流束に​​よる放熱の問題を効果的に解決できます。高効率であるだけでなく、コンパクトな構造で可動部品がなく、真のメンテナンスを実現できます。無料。